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德国 SONOSYS 兆声波清洗机在 MEMS 与微结构器件清洗中的详细用途

更新时间:2026-09-15      浏览次数:2

一、前言

MEMS 微机电器件集成微米级悬臂、薄膜、高深宽比沟槽、镂空微结构,广泛用于加速度传感器、压力传感器、陀螺仪、微流控芯片、射频 MEMS 开关等产品。这类悬空微结构机械强度极低,传统低频超声波、槽式浸泡清洗极易造成悬臂断裂、薄膜破损、图形坍塌,直接导致器件报废。德国 SONOSYS 兆声波清洗模组(兆声波清洗机核心单元),提供400kHz~9MHz 高频非接触喷淋兆声波清洗方案,依靠可控声流效应,在不损伤脆弱微结构的前提下,去除缝隙内纳米颗粒、光刻胶残渣、刻蚀副产物,是 MEMS 制造工艺中精密湿法清洗的核心配套装备,可直接集成到 MEMS 单片自动化清洗设备。


二、MEMS 微结构器件清洗核心用途

1. MEMS 光刻刻蚀后的残胶与刻蚀聚合物清洗

MEMS 经过光刻、深反应离子刻蚀(DRIE)工艺后,在高深宽比沟槽、悬臂缝隙内部会牢牢附着光刻胶残渣、刻蚀聚合物副产物。普通药液浸润很难进入狭小空腔,残留杂质会改变器件力学特性,造成传感器零点漂移、灵敏度异常。SONOSYS 高频兆声波产生稳定声流,驱动清洗药液渗入微米级微结构缝隙,加速化学反应,剥离沟槽内部有机残渣与聚合物。

选型建议:1MHz~5MHz 高频方案,空化气泡尺寸微小,爆破冲击力柔和,保护悬空悬臂、薄膜结构,不会出现微结构断裂失效。适用:硅基 MEMS 加速度计、陀螺仪、压力传感器刻蚀后清洗工序。


2. MEMS 结构释放工艺后的颗粒去除(最关键工序)

MEMS 牺牲层释放是核心工艺,牺牲层腐蚀完成后,悬空的可动微结构裸露,此时表面、结构间隙残留的颗粒、腐蚀副产物,会卡住可动部件,造成器件卡死、性能漂移。SONOSYS 采用单片无槽喷淋清洗,喷头与工件保持数毫米距离,全程无物理接触。兆声波能量随去离子水或者清洗药液喷淋到旋转基板表面,温和剥离亚微米、纳米颗粒,清除牺牲层腐蚀残留,同时保护已经释放的悬空悬臂与薄膜。优势:单片独立处理,不存在槽式清洗多片工件浸泡带来的二次污染,避免颗粒重新附着在微结构缝隙


3. 微流控芯片、LIGA 微结构通道内部清洗

微流控芯片、LIGA 工艺制备的金属微结构,拥有大量微米级流道、微孔。流道内部残留光刻胶、研磨颗粒、反应残渣,会堵塞微通道,影响流体控制与检测精度。SONOSYS 定点聚焦兆声波喷嘴,2~4mm 的小光斑可以对准微通道区域,声流效应深入狭小通道内部,清理通道内壁污染物,适合生物微流控芯片、化学微反应器精密清洗


4. MEMS 晶圆来料预处理、薄膜沉积前清洗

MEMS 晶圆在镀膜、外延、氧化层生长前,基板表面吸附的粉尘、有机污染物、抛光颗粒,会造成薄膜针孔、膜层起皮、应力不均,直接影响后续微结构加工良率。SONOSYS 兆声波用于 MEMS 基板预处理清洗,清除表面纳米杂质,保障薄膜沉积质量;同时在金属层、介质层刻蚀之后,去除刻蚀残渣,为下一道光刻工序提供洁净基板。


 5. MEMS 器件背面、边缘定点污染物清洗

MEMS 缺陷很多来源于基板背面、边缘颗粒。背面污染物在传输、键合过程中转移到器件正面微结构;边缘刻蚀残渣、金属碎屑会在封装前污染有效区域。

SONOSYS 单 / 双喷嘴支持定点扫描清洗,可单独对基板背面、边缘区域进行兆声波喷淋,定点清除边缘与背面颗粒,消除微结构卡滞隐患。



6. 封装前 MEMS 裸片洁净处理

在晶圆键合、划片、封装前,MEMS 裸片表面微小粉尘、划片碎屑,会在封装之后困在器件内部,长期使用出现漂移、失效。SONOSYS 非接触兆声波喷淋,不触碰脆弱微结构,完成封装前最终洁净处理,提升 MEMS 传感器长期可靠性。


三、SONOSYS 兆声波喷嘴在 MEMS 产线中的选型用途

  1. SlimLine 单喷嘴:工艺研发、小批量试样、局部定点清洗,药液消耗低,适合实验室工艺配方开发,针对微流控、LIGA 局部微结构清洗。

  2. 双喷嘴:MEMS 量产产线主流方案,双侧同步喷淋,整片基板声波能量分布均匀,消除片内清洗差异,8 寸 MEMS 硅晶圆量产广泛使用。

  3. 浸入式兆声波换能板:用于原有槽式 MEMS 清洗设备升级改造,适合大批量基板湿法清洗工艺优化



四、核心工艺优势

  1. 宽频率灵活选型:400kHz~9MHz 宽频段可选;去除大颗粒可选用较低频率;悬臂、薄膜等极脆弱 MEMS 结构,选用 3~5MHz 高频,大幅降低冲击强度,平衡清洗能力与微结构保护。

  2. 模块化集成:兆声波发生器 + 石英喷嘴分体结构,可嵌入国产 MEMS 单片清洗设备;石英端面为可更换易损件,降低长期运维成本。

  3. 减少化学品消耗:兆声波物理剥离辅助化学药液,降低药剂浓度,缩短清洗时间,满足半导体洁净车间绿色制造要求。

  4. 高纯防腐材质:与清洗液接触部件采用高纯石英、PVDF 材质,不会析出离子杂质,兼容 APM、DHF 等半导体标准清洗药液,避免二次污染微结构。

  5. 功率连续可调:MLM 系列兆声波发生器支持 20%~100% 功率调节,可根据 MEMS 不同结构的力学耐受阈值,定制专属清洗工艺窗口。



五、总结

SONOSYS 兆声波清洗模组在 MEMS 与微结构器件制造中的核心定位,是悬空微结构无损纳米污染物去除,覆盖 MEMS 基板来料预处理、光刻刻蚀后残胶清洗、牺牲层释放后清洗、微流控通道深度清洁、基板背面边缘定点清洗、封装前裸片洁净处理等全流程湿法工序。MEMS 器件持续微型化,悬空微结构的力学耐受极限越来越低,传统清洗工艺损伤风险持续升高。SONOSYS 单片非接触兆声波清洗方案,依靠可控声流效应,在高效清除缝隙内纳米污染物的同时,保护悬臂、薄膜、高深宽比沟槽等精密微结构,稳定提升 MEMS 传感器良率与长期工作可靠性。




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