SONOSYS 13406-002兆声波发生器搭配13792-005/51 喷嘴精密清洗模组介绍

更新时间：2026-07-13

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在半导体、光学光电、MEMS微纳制造等高洁净湿法制程中，单纯精细清洗或强力去污往往无法兼顾工艺良率。德国SONOSYS原装13406-002双频兆声波发生器 + 13792-005/51兆声波喷嘴（PTFE外壳+石英喷嘴）成套系统，采用2MHz/18W + 4MHz/25W高低频组合设计，一站式实现「强力去污+纳米精洗」双重工艺，是目前用于单片晶圆清洗、基板精密清洗、无接触定点清洗的主流标准化模组。整套设备无接触清洗、无划伤、无金属析出，适配无尘车间量产制程。

一、整套设备组成与核心参数

本套精密兆声波清洗系统为原装成套配置，发生器与喷嘴参数精准匹配、阻抗适配、输出稳定，无需二次调试即可直接集成自动化设备使用。

1、兆声波发生器：13406-002

双频独立输出：2MHz / 18W + 4MHz / 25W
智能频率自动追踪，负载实时适配，空化能量输出均匀稳定
支持单频、双频切换工作，适配多工序差异化清洗需求
紧凑型工业级设计，可嵌入式集成清洗机、自动化流水线

2、配套兆声波喷嘴：13792-005/51

外壳材质：优质PTFE聚四氟乙烯，耐强酸强碱、耐各类清洗药液
喷嘴材质：高纯石英材质，透光传声性能优异、极低颗粒脱落
定点聚焦式结构，声波能量集中，清洗点位精准、能耗更低
高洁净无析出，半导体、光学行业超高洁净制程标准

二、2MHz+4MHz双频搭配工艺优势（核心卖点）

SONOSYS双频搭配是工业精密清洗的经典黄金组合，利用不同频率兆声波空化特性互补，解决传统单频设备「洗不干净或洗伤工件」的痛点。

2MHz / 18W 低频强效清洗：空化强度更高、剥离能力更强，专门针对微米级颗粒、光刻胶残胶、有机污渍、CMP抛光残留、表面粉尘附着物进行高效剥离，去污速度快、覆盖能力强，适合工艺前道粗净、顽固污染物去除。

4MHz / 25W 高频精细清洗：高频兆声波空化气泡更细小、爆破能量更柔和，不会冲击微结构。专攻纳米级微颗粒、表面吸附杂质、细微缝隙残留，可对超薄薄膜、光学镀膜面、微纳结构实现无损超精洗，有效提升产品良率。

双频协同工作，一套设备替代两套单频系统，兼顾清洗效率与清洗精度，大幅节约设备成本与产线空间，适配量产自动化生产。

三、PTFE外壳+石英喷嘴材质优势

13792-005/51喷嘴采用行业高配的复合材质结构，专为高腐蚀、高洁净、高精密场景设计：

PTFE外壳：耐酸碱、耐有机溶剂、耐DI水长期冲刷，绝缘防腐、不生锈、无金属离子析出，能够避免二次污染，适配严苛半导体药液清洗环境。
高纯石英喷嘴：声波穿透率高、能量损耗小，清洗聚焦效果好；材质致密不掉粉、不脱落微粒，满足无尘车间Class 100/10超高洁净等级要求。

四、设备工作原理

整套系统采用非接触式兆声波定点清洗技术，发生器输出高频电能，通过喷嘴换能器转化为高频机械声波，以去离子水或专用清洗药液为介质，将均匀细腻的空化能量精准投射到工件表面。通过微空化、微剥离作用，在不接触、不摩擦、不损伤基材的前提下，剥离各类微观污染物，实现高效无损精密清洗。

五、主要应用行业与场景

该套SONOSYS双频兆声波清洗模组适配几乎所有精密制造湿法清洗场景，通用性强、适配度高：

半导体晶圆清洗：硅片、化合物半导体、光刻后残胶清洗、CMP后颗粒去除、掩模版清洗、封装前微缝隙清洁
光学光电行业：光学镜片、镀膜基底、LCD/OLED玻璃基板、光学模具、镜头组件超洁净清洗
MEMS微纳制造：微传感器、微流控芯片、微型精密结构无损清洗，保护薄壁、微型纹路结构
精密电子与新能源：精密芯片、微型元器件、光伏硅片、电池片制程清洗
科研实验室：高校、研究所微纳样品、精密试样超高洁净处理

六、产品核心亮点总结

SONOSYS 13406-002搭配13792-005/51石英PTFE喷嘴，凭借2+4MHz双频互补、防腐高纯材质、定点精准无损清洗、原装稳定品质，成为国内半导体与精密光学自动化清洗产线的主流配套模组。既可用于新机配套集成，也可用于老旧设备升级替换，有效提升清洗良率、降低污染不良、减少工件损伤，是高精密湿法清洗工艺的优选解决方案。

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