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日本Technomate高压泵 SSBL 系列在晶圆清洗中的 25 年实战

更新时间:2026-01-26      浏览次数:3

echnomate SSBL 系列(SSBL-20/30/37.5)高压泵在日本及中国半导体产线已稳定服役 20 余年,主要作为“高纯液体/溶剂的高压精密输送单元"嵌入到以下关键制程设备中

在 12″ 晶圆厂,清洗早已不是“冲一冲"那么简单:深宽比 60:1 的 3D-NAND 沟槽、仅 3 nm 的 GAA 纳米片,任何 ≥ 50 nm 的颗粒都会让良率瞬间归零。日本 Technomate 2000 年推出的 SSBL-20/30/37.5 气动高压泵,正是为此而生——用 10–17.6 MPa 的“水刀"与“溶剂刀",在 100 级洁净区内完成纯水、IPA、NMP 乃至 OPA(羟胺类光刻胶剥离液)的零脉动喷射,迄今已在中国、日本、韩国十余座 8–12″ 产线稳定服役


一、为什么是“气动"而不是磁力驱动

  • 无电机、无火花,可直接放在 Zone-2 防爆隔间,输送易燃 IPA 或 95 °C NMP 无需额外隔爆壳 ;
  • 驱动气压 0.05–0.5 MPa(工厂常备 0.7 MPa CDA)即可输出 17.6 MPa 液体压力,无需蓄压罐即可保持脉动 < ±0.02 MPa;
  • 体积仅 123×116×297 mm,重量 5 kg,可嵌入清洗腔背部,缩短 1.5 m 不锈钢管,减少 30% 死角体积



二、三种型号,一张“清洗地图"

| 型号            | 压力范围          | 典型流量       | 晶圆尺寸/工艺                                   | 常用化学品        |

| ----------    | -------------     | ----------   | ----------------------                            | ------------ |

| SSBL-20A   | 0.98–9.8 MPa  | 1.13 L/min | 8″ 以下、IPA 干燥                                | 纯水、IPA       |

| SSBL-30A   | 1.47–14.7 MPa | 0.71 L/min | 12″ 晶圆、深槽清洗                            | 纯水、70 °C IPA |

| SSBL-37.5A | 1.76–17.6 MPa | 0.58 L/min | 3D-NAND、GAA 纳米片、OPA 剥离 | NMP、OPA、高温纯水 |


三、四种典型清洗场景

1. 高压纯水喷射 – 颗粒“零"残留

在 Spin-Spray 腔体内,SSBL-30A 以 14.7 MPa 将 0.2 µm 过滤后的纯水切向喷向 1000 r/min 的 12″ 晶圆,Re > 14000 的湍流可把 30 nm SiO₂ 颗粒剥离效率提到 99.2%,而兆声损伤降低 40%


2. IPA 干燥 – 水痕克星

漂洗后,晶圆表面残留 1–2 nm 水膜。SSBL-20A 在 9.8 MPa 下将 IPA 雾化至 15 µm 液滴,配合 Marangoni 效应使水膜在 5 s 内破裂,干燥后表面粗糙度 Ra < 0.3 Å,满足 EUV 掩膜基板要求 。

3. NMP 剥离 – 金属零腐蚀

在铝/铜互连工艺,光刻胶需 90 °C NMP 剥离。SSBL-37.5A-KLZ(Kalrez 全氟密封)把 NMP 升到 17.6 MPa,从 0.08 mm 喷嘴打出 120 m/s 射流,30 s 内剥离 3 µm 厚负胶,金属线宽损失 < 0.5 nm,颗粒增加 ≤ 5 ea/cm²(0.16 µm 检测)。

4. OPA 清洗 – 下一代“绿色"剥离

羟胺-氟化物类 OPA 对 3 nm 栅极最友好,却极易分解产气。SSBL-37.5A 通过 0.3 MPa 氮气背压稳流,把 OPA 以 15 MPa 注入密闭腔,实现低温 45 °C 剥离,VOC 排放下降 70%,符合欧盟 EPAC 限值


四、材料与颗粒控制——“晶圆级"洁净

  • 接液部 316L 不锈钢 + 电解抛光 Ra ≤ 0.25 µm,颗粒析出 < 1 ea/mL;
  • FKM 规格适用于 IPA、纯水;Kalrez (KLZ) 规格适用于 NMP/OPA,连续 95 °C 寿命 > 8000 h;
  • 泵头自带 2 µm 自清洗过滤器,可外接 0.05 µm PFA 囊式过滤器,满足 SEMI F40 标准

五、落地案例(2024 年装机)

| 工厂                     | 工艺节点                 | 清洗环节                   | 型号                     | 数量   | 良率提升   |

| -------------         | -------------           | -----------                 | ----------------     | ---- | ------ |

| 华东某 12″ Fab     | 14 nm FinFET        | Cu 双大马士革后清洗 | SSBL-30A×16      | 32 台 | +1.8 % |

| 日本 NAND Flash | 128 层 3D-NAND | 深槽颗粒清洗              | SSBL-37.5A×24    | 48 台 | +2.3 % |

| 韩国 Foundry       | 3 nm GAA            | OPA 胶剥离                | SSBL-37.5A-KLZ×8 | 16 台 | +1.5 % |


六、维护与 TCO——“插上气管就忘了它"

  • 无电机、无轴承,仅柱塞与氟树脂密封圈为损耗件;MTBF > 25 000 h,密封包更换时间 < 15 min;
  • 空气消耗 70 NL/min(@60 SPM),一条 0.5 MPa CDA 主管可带 20 台泵,能耗仅为同流量电动高压泵的 1/8;
  • 停机时只需氮气吹扫 30 s,即可把管路残液推回回收罐,无 IPA 结晶堵塞风险

结语

从 2000 年最开始一颗 0.18 µm 逻辑芯片,到今天的 3 nm GAA,SSBL-20/30/37.5 用 25 年时间把自己做成了“晶圆高压清洗"这个细分赛道的隐形标准。它不靠广告,只靠一条极简逻辑:把液体压力做到优良,把颗粒与火花降到零。下一轮 2 nm、1.4 nm 的竞赛已经开场,Technomate 的小钢炮依旧站在喷淋臂的末端,为每一张价值数千美元的晶圆,做最安静也最锋利的“清洁工"。


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