日本Coper Electronics 介绍一种功率半导体热阻测试仪瞬态热阻测量仪

更新时间：2024-04-15

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　　介绍一种功率半导体热阻测试仪。

　　热阻测量器

瞬态热阻测试仪系列

　　瞬态热阻测量仪是测量IGBT/MOS-FET/Diode/BJT等的瞬态热阻的装置。

　　BJT瞬态热阻测量仪是向集电极·发射极间施加指的定的功率，使芯片温度上升，求出其前后的微小电流(Im)引起的基极·发射极间电压差(ΔVBE)的装置。这样可以推测试料的热阻。

　　IGBT瞬态热阻测量仪与BJT瞬态热阻测量仪一样，是计算栅极发射极之间电压差(ΔVGE)的测量仪。

　　P-MOS FET瞬态热阻测量仪与BJT瞬态热阻测量仪一样，是计算栅极和源极之间电压差(ΔVGS)的测量仪。

　　可以在BJT瞬态热阻测试仪的基极、发射极之间测量二极管的δVF。

　　◇主要规格

施加电压	2~30/100/600/1200V
通电电流	0.1至30/100/200/500/1000 a
电力施加宽度	100、200和500μs 1、2、5、10、20、50、100、200、500 ms 1S，2S，30S，DC
测量电流( Im )	1至1~99/199/999mA
测量范围	ΔVBE: ~999/1999mV (但VBE MAX: 3V ) ΔVGS/VGE: ~999/1999/9990mV (但VGS/VGE MAX: 20V )
采样点	Td 50~990μS

　　※热电阻测量仪有功率限制，电压、电流施加时间会限制可测量的区域。此外，根据规格的不同，装置的大小和重量会有很大的变化。上述规格仅为一个例子，设计、制作需要详细协商。

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