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更新时间：2025-11-14 
浏览次数：1功能： 直接、快速地测量固体材料在特定温度、特定波长下的法向全发射率。
工作原理： 它基于 “能量比较法"。
仪器内部有一个已知温度和高发射率的黑体参考源。
测量时，仪器会交替接收来自样品表面和内部黑体参考源的红外辐射能量。
通过精确比较样品辐射能量与黑体参考源辐射能量的比值，仪器直接计算出样品在该条件下的发射率值。
虽然S-AERD本身是一个用于实验室研究和质量控制的测量仪器，而非生产线上的在线传感器，但它的数据对半导体工艺开发至关重要：
为辐射温度计提供精确的发射率数据：
在使用HORIBA IT-545等辐射温度计时，为了从测量的辐射信号中计算出真实的温度，必须知道被测物体表面的发射率。如果发射率设置不准确，测温结果就会有系统误差。
S-AERD可以预先精确测量各种工艺条件下硅片、金属薄膜（如TiN, W）、介质薄膜（如SiO₂, Si₃N₄）等的发射率，并将这些数据输入温度计或工艺配方中，确保在线测温的准确性。
新材料与新工艺的开发：
在开发新的RTP、退火、CVD工艺时，晶圆表面的薄膜结构和成分会发生变化，导致其发射率也随之改变。
使用S-AERD可以系统地研究这些变化，建立“工艺条件-表面状态-发射率"的数据库，为工艺建模和优化提供关键参数。
质量控制与故障分析：
如果一批晶圆的薄膜厚度或均匀性出现偏差，其发射率也会不同。可以通过抽样测量发射率来间接监控薄膜质量。
当在线温度测量出现异常时，可以用S-AERD来验证晶圆样品的发射率是否偏离预期，帮助诊断问题根源。
直接测量发射率： 与间接计算方法不同，它能提供直接、客观的发射率数值，结果更可靠。
高精度与高重复性： KEM以其高精度仪器闻名，S-AERD能够提供可信赖的测量数据，重复性良好。
宽温和波长范围：
温度范围： 通常覆盖室温至较高温度（例如1000°C或更高，具体取决于型号），可以模拟实际工艺温度。
波长范围： 可以选择与在线辐射温度计相匹配的测量波长，确保数据直接可用。
样品适应性强： 可以测量各种形状的固体样品，只要表面能够放入测量腔室并满足光路要求。
用户友好： 通常配备软件，用于控制仪器、设置温度曲线、采集和分析数据。
您可以这样理解两者的关系：
HORIBA IT-545（辐射温度计）： 是生产线上用于 “实时监控温度" 的“眼睛"。它需要发射率这个关键参数才能正确工作。
KEM S-AERD（放射率计）： 是实验室里用于 “精确标定发射率" 的“标尺"。它为IT-545这样的“眼睛"提供精确的“视力校正参数"。
工作流程通常是：
在工艺开发阶段，使用 S-AERD 测量特定工艺条件下（特定温度、特定薄膜）的晶圆发射率 → 将测得的发射率值设定到生产设备上的 IT-545 温度计中 → IT-545在量产时利用这个正确的发射率值，实现对晶圆温度的精确、无损测量。
日本KEM的 S-AERD放射率计 是一款高精度的实验室分析仪器，它是实现半导体制造中高精度非接触测温的基石。通过为辐射温度计提供可靠的发射率数据，它间接确保了RTP、退火等关键热工艺的均匀性、重复性和良率。在追求极的致工艺控制的先进半导体制造中，对材料基础物性（如发射率）的深刻理解和精确测量是不的可的或的缺的一环。
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